905nm系列脉冲激光二极管采用优化量子阱结构设计,能够实现室温脉冲输出30W、50W、70W等多种功率。产品适用于固体激光器泵浦源、医学、目标指示、空间光通信等应用领域。
1550nm 高功率脉冲激光二极管为由MOCVD外延技术生长的InGaAsP/InP多量子阱结构。器件由通常的TO5mm封装,并可选在后腔面加监控二极管。本系列器件的中心波长是1550nm,与AlGaAs和InGaAs激光二极管相比,最大的优点是按美国食品和药品管理局(FDA)的有关要求可以允许更大的辐射功率,而不会对人眼造成伤害...